1995

• Crystalline and Quasi-cristalline Patterns in X-Ray Diffraction from Periodic Arrays of Quantum Dots

  DARHUBER A.A. HOLÝ Václav

  Článek v odborném periodiku

  Europhysics Letters, rok: 1995, ročník: 32(1995), vydání: 2

• Determination of threading dislocation density in hetero-epitaxial layers by diffuse x-ray scattering

  KOPPENSTEINER E. HOLÝ Václav

  Článek v odborném periodiku

  J. Phys. D: Appl. Phys., rok: 1995, ročník: 28, vydání: -

• Diffuse x-ray scattering from misfit dislocations in SiGe epitaxial layers with graded Ge content

  HOLÝ Václav

  Článek v odborném periodiku

  J. Appl. Phys., rok: 1995, ročník: 78(1995), vydání: 8

• Elastic strains in GaAs/AlAs quantum dots studied by high-resolution x-ray diffraction

  HOLÝ Václav

  Článek v odborném periodiku

  Physical Review B, rok: 1995, ročník: 52(1995), vydání: 11

• Excition-polariton edge of GaAs: MBE layers between multiple-quantum-well structures

  HUMLÍČEK Josef BOČÁNEK Luděk NAVRÁTIL Karel PÁNEK Petr ŠVEHLA Radoslav

  Článek v odborném periodiku

  Solid State Communications, rok: 1995, ročník: 93(1995), vydání: 9

• Grazing-incidence diffraction from multilayers

  BAUMBACH G.T. HOLÝ Václav v

  Článek v odborném periodiku

  Physical Review B, rok: 1995, ročník: 51(1995), vydání: 23

• Interface roughness in surface-sensitive x-ray methods

  HOLÝ Václav

  Článek v odborném periodiku

  J. Phys. D: Appl. Phys., rok: 1995, ročník: 28, vydání: -

• Interface study of W-Si/Si and obliquely deposided W/Si multilayers by grazing-incidence high-resolution x-ray diffraction

  JERGEL M. HOLÝ Václav

  Článek v odborném periodiku

  J. Phys. D: Appl. Phys., rok: 1995, ročník: 28, vydání: -

• Investigation of strain relaxation of Ge 1-x Si x epilayers on Ge (001) by high-resolution x-ray reciprocal space mapping

  LI J.H. HOLÝ Václav

  Článek v odborném periodiku

  Semicond. Sci. Technol., rok: 1995, ročník: 10, vydání: -

• Optical functions of the relaxed SiGe alloy and influence of strain

  HUMLÍČEK Josef

  Kapitola v knize

  Silicon Germanium, rok: 1995, počet stran: 11 s.