Informace o projektu
Struktury SOI pro pokročilé polovodičové aplikace
(ONSEMI)
- Kód projektu
- TA01010078
- Období řešení
- 1/2011 - 12/2013
- Investor / Programový rámec / typ projektu
-
Technologická agentura ČR
- ALFA
- Fakulta / Pracoviště MU
- Přírodovědecká fakulta
- Spolupracující organizace
-
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Práce na projektu budou vedeny ve dvou navzájem provázaných liniích:
(i)Aplikovaný výzkum progresivních polovodičových materiálů a struktur a experimentální vývoj technologií jejich výroby se zaměřením na pokročilou technologii výroby Silicon-On-Insulator (SOI) a na bonding křemíkových desek pro SOI.
(2) Aplikovaný výzkum a vývoj nových metod charakterizace objemových i povrchových vlastností polovodičových materiálů a struktur, zejména použití infračervených kamer pro měření kvality bondingu, komplexní metrologie struktury SOI, měření doby života minoritních nositelů náboje.
Publikace
Počet publikací: 3
2014
-
Zařízení pro měření rekombinačních procesů v epitaxních vrstvách křemíku
Rok: 2014
-
Zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI
Rok: 2014
2013
-
Lattice constants and optical response of pseudomorph Si-rich SiGe:B
Applied Physics Letters, rok: 2013, ročník: 103, vydání: 20, DOI