Informace o projektu
NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií
(NANOE)
- Kód projektu
- CZ.1.07/2.3.00/20.0027 (kod CEP: EE2.3.20.0027)
- Období řešení
- 8/2011 - 7/2014
- Investor / Programový rámec / typ projektu
-
Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR
- Operační program Vzdělávání pro konkurenceschopnost (VK)
- 2.3 Lidské zdroje ve výzkumu a vývoji
- Fakulta / Pracoviště MU
- Středoevropský technologický institut
- Spolupracující organizace
-
Vysoké učení technické v Brně
Cílem projektu je přivést zahraniční vědce a využít jejich know-how a kontakty pro posílení a rozvoj vědeckovýzkumné práce v rámci centra vědecké excelence CEITEC - Středoevropského technologického institutu (STI), konkrétně ve výzkumném programu Pokročilé nanotechnologie a mikrotechnologie a rozvoj jeho pracovníků. V průběhu realizace projektu budou ve formujícím se výzkumném týmu působit 2 významní vědci se zkušenostmi se zahraničním výzkumem a projekty mezinárodního výzkumu a vývoje. Tito vědci budou své zkušenosti předávat ostatním členům výzkumného týmu a dalším cílovým skupinám (výzkumným pracovníkům, studentům), kteří tak budou mít možnost rozvíjet své odborné znalosti a kompetence. Během realizace projektu se členové výzkumného týmu a cílových skupin budou také účastnit zde i v zahraničí odborných vzdělávacích akcí, souvisejících s tématy jejich výzkumné činnosti. Projekt bude realizovat STI VUT v Brně ve spolupráci s fakultami VUT (FSI, FEKT) a s CEITEC Masarykova univerzita.
Publikace
Počet publikací: 18
2016
-
GaAs/Ge crystals grown on Si substrates patterned down to the micron scale
Journal of Applied Physics, rok: 2016, ročník: 119, vydání: 5, DOI
-
Highly Mismatched, Dislocation-Free SiGe/Si Heterostructures
ADVANCED MATERIALS, rok: 2016, ročník: 28, vydání: 5, DOI
-
Lattice bending in three-dimensional Ge microcrystals studied by X-ray nanodiffraction and modelling
Journal of Applied Crystallography, rok: 2016, ročník: 49, vydání: June, DOI
-
Stacking Fault Analysis of Epitaxial 3C-SiC on Si(001) Ridges
Materials Science Forum, rok: 2016, ročník: 858, vydání: May, DOI
-
Strain relaxation in Ge microcrystals studied by high-resolution X-ray diffraction
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, rok: 2016, ročník: 213, vydání: 2, DOI
-
Type-I and Type-II Confinement in Quantum Dots: Excitonic Fine Structure
ACTA PHYSICA POLONICA A, rok: 2016, ročník: 129, vydání: 1A, DOI
-
Type-II InAs/GaAsSb/GaAs Quantum Dots as Artificial Quantum Dot Molecules
ACTA PHYSICA POLONICA A, rok: 2016, ročník: 129, vydání: 1A, DOI
2015
-
Excitonic fine structure splitting in type-II quantum dots
Physical Review B, rok: 2015, ročník: 92, vydání: 19, DOI
-
Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots
Physical Review B, rok: 2015, ročník: 92, vydání: 24, DOI
-
Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates
Semiconductor Science and Technology, rok: 2015, ročník: 30, vydání: 10, DOI